939年，公司的德國著名物理學家肖特基（Schottky）發表了“關于晶體整流器的空間電荷和表面層理論的量化解釋”，奠定了肖特基勢壘二極管的理論基礎。

1955年，公司發明了三氯硅烷還原法制取高純多晶硅以及由此發展起來的區熔提純單晶硅，即著名的法和后來的改良法。區熔單晶硅法（FZ）仍然是現在功率半導體材料的主要生產方法。

1964年，公司發明了螺栓型內壓接式結構制作硅電力半導體器件，又于1965年發明了平板式外壓接結構，即平板式晶閘管、電力二極管結構。

1973年，首先采用中子嬗變摻雜單晶硅，使晶閘管（SCR）的性能指標大幅度提高。

1980年，在功率MOSFET方面推出SIPMOS專利，占有較大的全球市場份額。

1988年，率先推出透明陽極新結構NPT-IGBT，由于具有高可靠、低成本、類MOS特性，影響力大，迅速確定了其IGBT國際標準化名稱。

1990年，電力半導體部門（1949年成立）和德國AEG電力半導體部門（1947年成立），各占50%股份合并成立著名的EUPEC公司，專業生產大功率電力半導體器件。

1994年，EUPEC推出EconoPACKTM IGBT模塊系列，確立了現在EconoPACK（六單元），EconoPIM（整流橋+七單元）IGBT模塊封裝的標準。

1995年，EUPEC率先推出3300V IGBT高壓模塊（IHV）。

1996年，EUPEC推出全球第一個商業化的8000V光觸發晶閘管（LTT），目前仍然是全球唯一能提供商業化LTT的廠家。

1998年，半導體突破了功率MOSFET的發展極限，推出了CoolMOSTM發明專利，高壓功率MOS其漂移區Rds(on)部分大幅度降低，英飛凌CoolMOS是高壓（≥500V）功率MOSFET發展史上的一個里程碑。

1998年，英飛凌同時推出溝槽柵的低壓（≤150V）功率MOSFET，即OptiMOSTM，大幅度降低了溝道部分的Rds(on)。Rds(on)低是英飛凌功率MOSFET的核心競爭力。

1999年，EUPEC率先推出6500V IGBT模塊。

1999年，半導體集團獨立上市，形成英飛凌科技公司。

2000年，英飛凌推出溝槽柵+場終止技術，即Trench StopTM IGBT3芯片，它是當今兩種先進的IGBT芯片生產技術的杰出組合。